Monte Carlo simulation of THz noise and generation under electron cooling in wurtzite GaN MOSFET at room temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
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Dates et versions

hal-02445104 , version 1 (19-01-2020)

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Citer

V. Gruzinskis, P. Shiktorov, E. Starikov, H. Marinchio, C. Palermo, et al.. Monte Carlo simulation of THz noise and generation under electron cooling in wurtzite GaN MOSFET at room temperature. 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Jun 2017, Vilnius, Lithuania. pp.1-4, ⟨10.1109/ICNF.2017.7986004⟩. ⟨hal-02445104⟩
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