Properties of PEDOT:PEG/ZnO/p-Si heterojunction diode

Murat Soylu; Mihaela Girtan; Fahrettin Yakuphanoglu

doi:10.1016/j.mseb.2012.03.025

Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: B Année : 2012

Properties of PEDOT:PEG/ZnO/p-Si heterojunction diode

, (1) , (2)

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2

Murat Soylu

Fonction : Auteur

Mihaela Girtan

Fonction : Auteur
PersonId : 181566
IdHAL : mihaela-girtan
ORCID : 0000-0002-8058-4143
IdRef : 148910068

Laboratoire de Photonique d'Angers

CV

Fahrettin Yakuphanoglu

Fonction : Auteur

Firat University

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Mihaela Girtan : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02443034

Soumis le : jeudi 16 janvier 2020-20:00:54

Dernière modification le : vendredi 15 septembre 2023-10:38:30

Dates et versions

hal-02443034 , version 1 (16-01-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02443034 , version 1
DOI : 10.1016/j.mseb.2012.03.025

Citer

Murat Soylu, Mihaela Girtan, Fahrettin Yakuphanoglu. Properties of PEDOT:PEG/ZnO/p-Si heterojunction diode. Materials Science and Engineering: B, 2012, 177 (11), pp.785-790. ⟨10.1016/j.mseb.2012.03.025⟩. ⟨hal-02443034⟩

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