Role of V-pits in the performance improvement of InGaN solar cells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2016

Role of V-pits in the performance improvement of InGaN solar cells

Résumé

We study the influence of V-pits on the overall conversion efficiency of bulk In0.12 Ga0.88N based heterojunction solar cells grown by MOVPE. We show that V-pits significantly enhances the extraction of the photogenerated carriers in the InGaN absorber, resulting in a peak external quantum efficiency of 79% and a short circuit current density (twice the state of the art) of 2.56 mA/cm−2 under AM 1.5G conditions.
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Dates et versions

hal-02385085 , version 1 (24-02-2022)

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

Muhammad Arif, Jean-Paul Salvestrini, Jérémy Streque, Matthew B. Jordan, Youssef El Gmili, et al.. Role of V-pits in the performance improvement of InGaN solar cells. Applied Physics Letters, 2016, 109 (13), pp.133507. ⟨10.1063/1.4963817⟩. ⟨hal-02385085⟩
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