Low temperature electrodeposition of silicon layers

Bruno Viana; Thierry Pauporte; S. Qi

doi:10.1117/12.2294944

Article Dans Une Revue Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering Année : 2018

Low temperature electrodeposition of silicon layers

(1) , (2) ,

1
2

Bruno Viana

Fonction : Auteur
PersonId : 1171787
ORCID : 0000-0002-2959-862X
IdRef : 033339546

Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Paris - Chimie ParisTech-PSL

Thierry Pauporte

Fonction : Auteur

Laboratoire d'Electrochimie, Chimie des Interfaces et Modélisation pour l'Energie (LECIME - UMR 7575)

S. Qi

Fonction : Auteur

Domaines

Chimie Matériaux

Thierry Pauporte : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02357555

Soumis le : dimanche 10 novembre 2019-13:57:46

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:57

Dates et versions

hal-02357555 , version 1 (10-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02357555 , version 1
DOI : 10.1117/12.2294944

Citer

Bruno Viana, Thierry Pauporte, S. Qi. Low temperature electrodeposition of silicon layers. Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2018, pp.89. ⟨10.1117/12.2294944⟩. ⟨hal-02357555⟩

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