A Physics-Based Nonlinear Model of Microwave P-I-N Diode for CAD

Emmanuel Gatard; Philippe Bouysse; Raphaël Sommet; Raymond Quéré; Jean-Marc Bureau; Pascal Ledieu; Michel Stanislawiak; Clément Tolant

doi:10.1109/EMICC.2006.282808

Communication Dans Un Congrès Année : 2006

A Physics-Based Nonlinear Model of Microwave P-I-N Diode for CAD

(1) , (1) , (1) , (1) , , , (2) , (3)

1
2
3

Emmanuel Gatard

Fonction : Auteur
PersonId : 949099

C2S2

Philippe Bouysse

Fonction : Auteur
PersonId : 6535
IdHAL : philippe-bouysse
IdRef : 076188310

C2S2

Raphaël Sommet

Fonction : Auteur
PersonId : 6533
IdHAL : raphael-sommet
ORCID : 0000-0002-4170-1781
IdRef : 088662799

C2S2

CV

Raymond Quéré

Fonction : Auteur
PersonId : 180105
IdHAL : raymond-quere

C2S2

Jean-Marc Bureau

Fonction : Auteur

Pascal Ledieu

Fonction : Auteur

Michel Stanislawiak

Fonction : Auteur

Thales Air Systems

Clément Tolant

Fonction : Auteur
PersonId : 842497

Advanced Studises

Domaines

Electronique

Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02356495

Soumis le : vendredi 8 novembre 2019-17:46:03

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:13

Dates et versions

hal-02356495 , version 1 (08-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02356495 , version 1
DOI : 10.1109/EMICC.2006.282808

Citer

Emmanuel Gatard, Philippe Bouysse, Raphaël Sommet, Raymond Quéré, Jean-Marc Bureau, et al.. A Physics-Based Nonlinear Model of Microwave P-I-N Diode for CAD. 2006 European Microwave Integrated Circuits Conference, Sep 2006, Manchester, United Kingdom. pp.285-288, ⟨10.1109/EMICC.2006.282808⟩. ⟨hal-02356495⟩

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