Mechanism and crucial parameters on GaN nanocluster formation in a silica matrix

J. Kioseoglou; M. Katsikini; Konstantinos Termentzidis; I. Karakostas; E. Paloura

doi:10.1063/1.4975200

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2017

Mechanism and crucial parameters on GaN nanocluster formation in a silica matrix

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J. Kioseoglou

Fonction : Auteur

Department of Physics [Thessaloniki]

M. Katsikini

Fonction : Auteur

Department of Physics [Thessaloniki]

Konstantinos Termentzidis

Fonction : Auteur
PersonId : 20524
IdHAL : termentzidis
ORCID : 0000-0002-8521-7107
IdRef : 193222086

Laboratoire d'Energétique et Mécanique Théorique et Appliquée

CV

I. Karakostas

Fonction : Auteur

Department of Physics [Thessaloniki]

E. Paloura

Fonction : Auteur

Department of Physics [Thessaloniki]

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Konstantinos TERMENTZIDIS : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02353214

Soumis le : jeudi 7 novembre 2019-11:21:23

Dernière modification le : lundi 15 avril 2024-18:20:02

Dates et versions

hal-02353214 , version 1 (07-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02353214 , version 1
DOI : 10.1063/1.4975200

Citer

J. Kioseoglou, M. Katsikini, Konstantinos Termentzidis, I. Karakostas, E. Paloura. Mechanism and crucial parameters on GaN nanocluster formation in a silica matrix. Journal of Applied Physics, 2017, 121 (5), pp.054301. ⟨10.1063/1.4975200⟩. ⟨hal-02353214⟩

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