A Steep-Slope MoS 2 -Nanoribbon MOSFET Based on an Intrinsic Cold-Contact Effect - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2019

A Steep-Slope MoS 2 -Nanoribbon MOSFET Based on an Intrinsic Cold-Contact Effect

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Fichier principal
Vignette du fichier
paper.pdf (1.78 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Marco Pala  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02350929

Soumis le : jeudi 17 décembre 2020-14:12:20

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:20

Archivage à long terme le : jeudi 18 mars 2021-19:48:29

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-02350929 , version 1 (17-12-2020)

Identifiants

Citer

Demetrio Logoteta, Marco Pala, Jean Choukroun, Philippe Dollfus, Giuseppe Iannaccone. A Steep-Slope MoS 2 -Nanoribbon MOSFET Based on an Intrinsic Cold-Contact Effect. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (9), pp.1550-1553. ⟨10.1109/LED.2019.2928131⟩. ⟨hal-02350929⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-PARIS-SACLAY UP-SCIENCES GS-PHYSIQUE C2N
50 Consultations
32 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More