High performance tunnel field effect transistors based on in-plane transition metal dichalcogenide heterojunctions

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-02350992

Soumis le : mercredi 16 décembre 2020-17:35:59

Dernière modification le : jeudi 30 novembre 2023-04:00:07

Archivage à long terme le : mercredi 17 mars 2021-19:54:55

Dates et versions

hal-02350992 , version 1 (16-12-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-02350992 , version 1
DOI : 10.1088/1361-6528/aae7df

Citer

Jean Choukroun, Marco Pala, Shiang Fang, Efthimios Kaxiras, Philippe Dollfus. High performance tunnel field effect transistors based on in-plane transition metal dichalcogenide heterojunctions. Nanotechnology, 2019, 30 (2), pp.025201. ⟨10.1088/1361-6528/aae7df⟩. ⟨hal-02350992⟩

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