Powder free PECVD epitaxial silicon by plasma pulsing or increasing the growth temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2018

Powder free PECVD epitaxial silicon by plasma pulsing or increasing the growth temperature

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Jean-Luc Maurice  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02349125

Soumis le : mardi 5 novembre 2019-15:24:45

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:13

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hal-02349125 , version 1 (05-11-2019)

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Citer

Wanghua Chen, Jean-Luc Maurice, Jean-Charles Vanel, Pere Roca I Cabarrocas. Powder free PECVD epitaxial silicon by plasma pulsing or increasing the growth temperature. Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 51 (23), pp.235203. ⟨10.1088/1361-6463/aac1ea⟩. ⟨hal-02349125⟩

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