The role of hydrogen plasma power on surface roughness and carrier transport in transfer-doped H-diamond

Kevin Crawford; Alexandre Tallaire; Xu Li; David Macdonald; Dongchen Qi; David A.J. Moran

doi:10.1016/j.diamond.2018.03.005

Article Dans Une Revue Diamond and Related Materials Année : 2018

The role of hydrogen plasma power on surface roughness and carrier transport in transfer-doped H-diamond

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2

Kevin Crawford

Fonction : Auteur

Alexandre Tallaire

Fonction : Auteur
PersonId : 178811
IdHAL : alexandre-tallaire
ORCID : 0000-0002-0663-6662
IdRef : 096137770

Institut de Recherche de Chimie Paris

Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux

Xu Li

Fonction : Auteur
PersonId : 919447

David Macdonald

Fonction : Auteur
PersonId : 794825
ORCID : 0000-0002-7750-2733

Dongchen Qi

Fonction : Auteur

David A.J. Moran

Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

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https://hal.science/hal-02346270

Soumis le : lundi 4 novembre 2019-22:43:44

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:58

Dates et versions

hal-02346270 , version 1 (04-11-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02346270 , version 1
DOI : 10.1016/j.diamond.2018.03.005

Citer

Kevin Crawford, Alexandre Tallaire, Xu Li, David Macdonald, Dongchen Qi, et al.. The role of hydrogen plasma power on surface roughness and carrier transport in transfer-doped H-diamond. Diamond and Related Materials, 2018, 84, pp.48-54. ⟨10.1016/j.diamond.2018.03.005⟩. ⟨hal-02346270⟩

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