Etude de la robustesse et exploitation des défaillances de MOSFETs SiC 1200V en régime extrême de court-circuit - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
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hal-02342941 , version 1 (01-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02342941 , version 1

Citer

François Boige, Frédéric Richardeau. Etude de la robustesse et exploitation des défaillances de MOSFETs SiC 1200V en régime extrême de court-circuit. Ecole thématique Fiab-Surf, 2019, labellisée par le CNRS-INSIS. De la physique d'endommagement à la sûreté de fonctionnement des convertisseurs statiques, 17-21 juin 2019, Saint-Pierre d'Oléron, Jun 2019, Saint-Pierre d'Oléron, France. ⟨hal-02342941⟩
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