Etude des propriétés uniques des MOSFET en Carbure de Silicium (SiC) en régime de court-circuit - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
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Dates et versions

hal-02342934 , version 1 (01-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02342934 , version 1

Citer

François Boige, Frédéric Richardeau. Etude des propriétés uniques des MOSFET en Carbure de Silicium (SiC) en régime de court-circuit. "Analyse et mécanismes de défaillance des composants pour l'électronique", ATELIER ANADEF 2018, Jun 2018, Hossegor, France. ⟨hal-02342934⟩
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