Molecular Beam Epitaxy and characterization of high Bi content GaSbBi alloys - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Molecular Beam Epitaxy and characterization of high Bi content GaSbBi alloys

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Olivier Delorme

Fonction : Auteur
PersonId : 1030024

Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

Laurent Cerutti

Fonction : Auteur
PersonId : 18385
IdHAL : laurent-cerutti
ORCID : 0000-0002-1758-7130
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Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

Eric Tournié

Fonction : Auteur
PersonId : 18604
IdHAL : eric-tournie
ORCID : 0000-0002-8177-0810
IdRef : 077085035

Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

Jean-Baptiste Rodriguez

Fonction : Auteur
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IdHAL : bobjb
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Institut d’Electronique et des Systèmes

Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jean-Baptiste Rodriguez : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02327267

Soumis le : mardi 22 octobre 2019-17:38:30

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:13

Dates et versions

hal-02327267 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02327267 , version 1

Citer

Olivier Delorme, Laurent Cerutti, Eric Tournié, Jean-Baptiste Rodriguez. Molecular Beam Epitaxy and characterization of high Bi content GaSbBi alloys. 13th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (MIOMD), 2016, Beijing, China. ⟨hal-02327267⟩

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