Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys and QWs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys and QWs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02327216 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02327216 , version 1

Citer

Olivier Delorme, Laurent Cerutti, Esperanza Luna, Achim Trampert, Eric Tournié, et al.. Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys and QWs. 10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2019, Toulouse, France. ⟨hal-02327216⟩
21 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More