Transmission Electron Microscopy of (In,Ga)(Sb,Bi) epilayers and quantum wells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Transmission Electron Microscopy of (In,Ga)(Sb,Bi) epilayers and quantum wells

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Jean-Baptiste Rodriguez  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02327205

Soumis le : mardi 22 octobre 2019-17:19:39

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:13

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02327205 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02327205 , version 1

Citer

Esperanza Luna, Olivier Delorme, Laurent Cerutti, Eric Tournié, Jean-Baptiste Rodriguez, et al.. Transmission Electron Microscopy of (In,Ga)(Sb,Bi) epilayers and quantum wells. 10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2019, Toulouse, France. ⟨hal-02327205⟩

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