Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH 3 -MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2018

Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH 3 -MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs

Hady Yacoub
  • Fonction : Auteur
Thorsten Zweipfennig
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Holger Kalisch
  • Fonction : Auteur
Andrei Vescan
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Armin Dadgar
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Matthias Wieneke
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Jürgen Bläsing
  • Fonction : Auteur
A. Strittmatter
  • Fonction : Auteur
Stéphanie Rennesson
  • Fonction : Auteur
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Fabrice Semond
  • Fonction : Auteur
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat]

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Soumis le : lundi 21 octobre 2019-16:03:01

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Citer

Hady Yacoub, Thorsten Zweipfennig, Holger Kalisch, Andrei Vescan, Armin Dadgar, et al.. Impact of AlN/Si Nucleation Layers Grown Either by NH 3 -MBE or MOCVD on the Properties of AlGaN/GaN HFETs. physica status solidi (a), 2018, 215 (9), pp.1700638. ⟨10.1002/pssa.201700638⟩. ⟨hal-02322556⟩

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