Ultrathin AlN-Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 -MBE

Stéphanie Rennesson (1) , Mathieu Leroux (1) , Mohamed Al Khalfioui (1) , Maud Nemoz , Sebastien Chenot (1) , Jean Massies (1) , Ludovic Largeau (2) , Ezgi Dogmus (3) , Malek Zegaoui (3) , F Medjdoub (3, 4) , Fabrice Semond (1)

1 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
2 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
4 WIND - IEMN - WIde baNd gap materials and Devices - IEMN

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Stéphanie Rennesson, Mathieu Leroux, Mohamed Al Khalfioui, Maud Nemoz, Sebastien Chenot, et al.. Ultrathin AlN-Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 -MBE. physica status solidi (a), 2018, 215 (9), pp.1700640. ⟨10.1002/pssa.201700640⟩. ⟨hal-02322484⟩