High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen. Part 2: CVD β-SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of the European Ceramic Society Année : 2010

Dates et versions

hal-02313728 , version 1 (11-10-2019)

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Citer

L. Charpentier, M. Balat-Pichelin, H. Glénat, E. Bêche, E. Laborde, et al.. High temperature oxidation of SiC under helium with low-pressure oxygen. Part 2: CVD β-SiC. Journal of the European Ceramic Society, 2010, 30 (12), pp.2661-2670. ⟨10.1016/j.jeurceramsoc.2010.04.031⟩. ⟨hal-02313728⟩
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