Atomic Layer Etching at cryogenic temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311323 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02311323 , version 1

Citer

Gaëlle Antoun, Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, et al.. Atomic Layer Etching at cryogenic temperature. Plasma Thin Film International Union Meeting, Sep 2019, Antibes, France. ⟨hal-02311323⟩
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