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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Low-k material cryoetch using high boiling point organic compounds to reduce plasma induced damage

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph] Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Thomas Tillocher  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02311275

Soumis le : jeudi 10 octobre 2019-17:25:50

Dernière modification le : jeudi 23 novembre 2023-10:48:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311275 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02311275 , version 1

Citer

Romain Chanson, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Liping Zhang, et al.. Low-k material cryoetch using high boiling point organic compounds to reduce plasma induced damage. 40th International Symposium on Dry Process, Nov 2018, Nagoya, France. ⟨hal-02311275⟩

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