The role of SiF4 physisorption in the cryogenic etching process of silicon

Gaëlle Antoun (1) , Philippe Lefaucheux (2) , Thomas Tillocher (2) , Remi Dussart (2) , Tahara Shigeru (3) , Kumiko Yamazaki (4) , Koichi Yatsuda (5) , Jacques Faguet (6) , Kaoru Maekawa (6)

1 GREMI - Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
2 GREMI - Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
3 Tokyo Electron Miyagi Limited
4 Tokyo Electron Limited
5 TEL - Tokyo Electron
6 TEL Technology Center, America, LLC

Domaines: Physique des plasmas [physics.plasm-ph]; Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Gaëlle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Tahara Shigeru, et al.. The role of SiF4 physisorption in the cryogenic etching process of silicon. 40th International Symposium on Dry Process, Nov 2018, Nagoya, Japan. ⟨hal-02311267⟩