Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate Electrodes and Its Natural Oxide as Dielectrics - Archive ouverte HAL

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Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2015

Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate Electrodes and Its Natural Oxide as Dielectrics

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Wei Wei

Fonction : Auteur
PersonId : 916960

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Xin Zhou

Fonction : Auteur
PersonId : 180150
IdHAL : xin-zhou
ORCID : 0000-0002-8516-2142
IdRef : 242719627

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Geetanjali Deokar

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Haechon Kim

Fonction : Auteur

Mohamed Moez Belhaj

Fonction : Auteur
PersonId : 1028051

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Elisabeth Galopin

Fonction : Auteur
PersonId : 739403
IdHAL : elisabeth-galopin
ORCID : 0000-0003-2608-054X
IdRef : 122149181

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Emiliano Pallecchi

Fonction : Auteur
PersonId : 746791
IdHAL : emiliano-pallecchi
ORCID : 0000-0002-8682-7935
IdRef : 192303139

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Dominique Vignaud

Fonction : Auteur
PersonId : 738856
IdHAL : dominique-vignaud
IdRef : 128829885

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Henri Happy

Fonction : Auteur
PersonId : 748086
IdHAL : henri-happy
ORCID : 0000-0003-2065-8080
IdRef : 103891455

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Chimie Physique [physics] Science non linéaire [physics] Sciences de l'environnement Planète et Univers [physics] Sciences du Vivant [q-bio] Sciences de l'ingénieur [physics]

Elisabeth Galopin : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02304371

Soumis le : jeudi 3 octobre 2019-11:09:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-02304371 , version 1 (03-10-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02304371 , version 1
DOI : 10.1109/TED.2015.2459657

Citer

Wei Wei, Xin Zhou, Geetanjali Deokar, Haechon Kim, Mohamed Moez Belhaj, et al.. Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate Electrodes and Its Natural Oxide as Dielectrics. IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (9), pp.2769-2773. ⟨10.1109/TED.2015.2459657⟩. ⟨hal-02304371⟩

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