Experimental and microscopic analysis of 600V GaN-GIT under the short-circuit aging tests - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue International Journal of Information Science & Technology Année : 2019

Experimental and microscopic analysis of 600V GaN-GIT under the short-circuit aging tests

Jian Zhi Fu
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherche en Systèmes Electroniques Embarqués
François Fouquet
Pôle Electronique et Systèmes
Moncef Kadi
Pôle Electronique et Systèmes
CV
Pascal Dherbécourt
Groupe de physique des matériaux
CV
Fabien Cuvilly
Groupe de physique des matériaux

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]

pascal dherbecourt  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02295904

Soumis le : mardi 24 septembre 2019-15:34:27

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Dates et versions

hal-02295904 , version 1 (24-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02295904 , version 1

Citer

Jian Zhi Fu, François Fouquet, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt, Fabien Cuvilly. Experimental and microscopic analysis of 600V GaN-GIT under the short-circuit aging tests. International Journal of Information Science & Technology, 2019. ⟨hal-02295904⟩

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