Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors

Nicolas Herbecq (1) , Isabelle Roch-Jeune (1) , Astrid Linge , Malek Zegaoui (1) , Pierre-Olivier Jeannin (2) , Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger (2) , F Medjdoub (1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 G2ELab - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble

Domaines: Energie électrique

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, Astrid Linge, Malek Zegaoui, Pierre-Olivier Jeannin, et al.. Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors. physica status solidi (a), 2016, 213 (4), pp.873--877. ⟨10.1002/pssa.201532572⟩. ⟨hal-02277752⟩