Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications

Flavien Cozette (1, 2) , Marie Lesecq (3, 4) , Adrien Cutivet (3, 1, 4) , N. Defrance (3, 4) , Michel Rousseau (3, 4) , Hassan Maher (5, 1) , Jean-Claude de Jaeger (3, 4)

1 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
4 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
5 OMMIC

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Flavien Cozette, Marie Lesecq, Adrien Cutivet, N. Defrance, Michel Rousseau, et al.. Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39 (10), pp.1-1. ⟨10.1109/LED.2018.2864643⟩. ⟨hal-02273384⟩