A 5000h RF life test on 330 W RF-LDMOS transistors for radars applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2010

A 5000h RF life test on 330 W RF-LDMOS transistors for radars applications

O. Latry
Groupe de physique des matériaux
CV
Pascal Dherbécourt
Groupe de physique des matériaux
CV
K. Mourgues
  • Fonction : Auteur
Groupe de physique des matériaux
H. Maanane
  • Fonction : Auteur
P. Sipma
  • Fonction : Auteur
F. Cornu
  • Fonction : Auteur
P. Eudeline
  • Fonction : Auteur
Mohamed Lamine Masmoudi
Université de Rouen Normandie

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Olivier Latry  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02267399

Soumis le : lundi 19 août 2019-11:32:06

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

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Dates et versions

hal-02267399 , version 1 (19-08-2019)

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Citer

O. Latry, Pascal Dherbécourt, K. Mourgues, H. Maanane, P. Sipma, et al.. A 5000h RF life test on 330 W RF-LDMOS transistors for radars applications. Microelectronics Reliability, 2010, 50 (9-11), pp.1574-1576. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.086⟩. ⟨hal-02267399⟩

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