Leakage current effects on N-MOSFETs after thermal ageing in pulsed life tests - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Journal Année : 2014

Leakage current effects on N-MOSFETs after thermal ageing in pulsed life tests

M.A. Belaïd
  • Fonction : Auteur
A.M. Nahhas
  • Fonction : Auteur
M. Gares
  • Fonction : Auteur
K. Daoud
  • Fonction : Auteur
Groupe de physique des matériaux
O. Latry
Groupe de physique des matériaux
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Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Citer

M.A. Belaïd, A.M. Nahhas, M. Gares, K. Daoud, O. Latry. Leakage current effects on N-MOSFETs after thermal ageing in pulsed life tests. Microelectronics Journal, 2014, 45 (12), pp.1800-1805. ⟨10.1016/j.mejo.2014.06.002⟩. ⟨hal-02267365⟩

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