Influence of oxide density on O 2 diffusivity in thermally grown SiO 2 on Si and SiGe and on oxidation kinetics

Fabien Rozé (1) , Patrice Gergaud (2) , Nicolas Jaouen (3) , Olivier Gourhant (1) , Elisabeth Blanquet (4) , François Bertin (2)

1 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 SSOLEIL - Synchrotron SOLEIL
4 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fabien Rozé, Patrice Gergaud, Nicolas Jaouen, Olivier Gourhant, Elisabeth Blanquet, et al.. Influence of oxide density on O 2 diffusivity in thermally grown SiO 2 on Si and SiGe and on oxidation kinetics. Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (6), pp.065023. ⟨10.1088/1361-6641/ab1228⟩. ⟨hal-02169826⟩