Transport in TriGate nanowire FET: Cross-section effect at the nanometer scale

J. Pelloux-Prayer (1) , M. Cassé (1) , S. Barraud (1) , F. Triozon (1) , Z. Zeng (2) , Y. M. Niquet (2) , J. Rouvière (3) , G. Reimbold (1)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
3 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

J. Pelloux-Prayer, M. Cassé, S. Barraud, F. Triozon, Z. Zeng, et al.. Transport in TriGate nanowire FET: Cross-section effect at the nanometer scale. 2016 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2016, Burlingame, France. pp.1-2. ⟨hal-02143469⟩