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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Time Domain Drain Lag Measurement and TCAD based Device Simulations of AlGaN/GaN HEMT: Investigation of Physical Mechanism

Nandha Kumar Subramani
Systèmes RF
Mohamed Bouslama
Systèmes RF
Raphaël Sommet
Systèmes RF
CV
Jean-Christophe Nallatamby
Systèmes RF

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Electronique

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https://hal.science/hal-02141245

Soumis le : lundi 27 mai 2019-17:22:53

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02141245 , version 1 (27-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02141245 , version 1

Citer

Nandha Kumar Subramani, Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Time Domain Drain Lag Measurement and TCAD based Device Simulations of AlGaN/GaN HEMT: Investigation of Physical Mechanism. 2019 14 th European Microwave Conference, Oct 2019, PARIS, France. ⟨hal-02141245⟩

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