Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02141233
Soumis le : lundi 27 mai 2019-17:18:20
Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02141233 , version 1
Citer
Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Characterization of Different Technologies of GaN HEMTs of 0,15 µm Ultra-Short Gate Length: Identification of Traps Using TCAD Based 2D Physics-based Simulation. 2019 14th European Microwave Microwave Conference, Oct 2019, PARIS, France. ⟨hal-02141233⟩
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