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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Study of the piezoresistive properties of NMOS and PMOS Ω-gate SOI nanowire transistors: Scalability effects and high stress level

P. Nguyen
  • Fonction : Auteur
A. Abisset
  • Fonction : Auteur
A. Idrissi-Eloudrhiri
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02138872 , version 1 (24-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02138872 , version 1

Citer

J. Pelloux-Prayer, M. Cassé, S. Barraud, P. Nguyen, M. Koyama, et al.. Study of the piezoresistive properties of NMOS and PMOS Ω-gate SOI nanowire transistors: Scalability effects and high stress level. 2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2014, San Francisco, France. pp.20.5.1-20.5.4. ⟨hal-02138872⟩
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