A predictive model to investigate the effects of gate driver on dv/dt in series-connected SiC-MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

A predictive model to investigate the effects of gate driver on dv/dt in series-connected SiC-MOSFETs

Domaines

Energie électrique

Sylvie Garcia  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02125170

Soumis le : vendredi 10 mai 2019-10:59:44

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:31:43

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02125170 , version 1 (10-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02125170 , version 1

Citer

Pierre Lefranc, Luciano Francisco Sousa Alves, Pierre-Olivier Jeannin, Benoît Sarrazin, Van-Sang Nguyen, et al.. A predictive model to investigate the effects of gate driver on dv/dt in series-connected SiC-MOSFETs. PCIM 2019, May 2019, Nuremberg, Germany. ⟨hal-02125170⟩

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