Sublimation growth of a new promising semiconductor Al4SiC4 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02112233 , version 1 (26-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02112233 , version 1

Citer

Hoang-Long Le Tran, Eirini Sarigiannidou, Odette Chaix-Pluchery, Isabelle Gélard, Thierry Ouisse, et al.. Sublimation growth of a new promising semiconductor Al4SiC4. E- MRS Spring, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-02112233⟩
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