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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Photon recycling in ultra-thin GaAs n/p junctions based on high-photovoltage vertical epitaxial heterostructure architectures with record optical to electrical conversion efficiencies

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02096961

Soumis le : jeudi 11 avril 2019-16:45:32

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:24:26

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Dates et versions

hal-02096961 , version 1 (11-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02096961 , version 1

Citer

Simon Fafard. Photon recycling in ultra-thin GaAs n/p junctions based on high-photovoltage vertical epitaxial heterostructure architectures with record optical to electrical conversion efficiencies. Canadian Associations of Physicists, May 2017, Kingston, Canada. ⟨hal-02096961⟩

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