Aging and Gate Bias Effects on TID Sensitivity of Wide Bandgap Power Devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Aging and Gate Bias Effects on TID Sensitivity of Wide Bandgap Power Devices

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02086450 , version 1 (01-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02086450 , version 1

Citer

Kimmo Niskanen, Antoine Touboul, Rosine Coq Germanicus, Frédéric Wrobel, F. Saigné, et al.. Aging and Gate Bias Effects on TID Sensitivity of Wide Bandgap Power Devices. IEEE RADECS2018, Sep 2018, Goteborg, Sweden. ⟨hal-02086450⟩
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