Highly doped semiconductors based plasmonic devices - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02078681 , version 1 (25-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02078681 , version 1

Citer

F. Omeis, R. Smaali, F. Gonzalez-Posada, L. Cerutti, T. Taliercio, et al.. Highly doped semiconductors based plasmonic devices. Functional Materials, Materials and devices for green photonics, EMRS Spring Meeting 2018, 2018, Strasbourg, France. ⟨hal-02078681⟩
29 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More