Scanning tunneling microscopy study of the epitaxial growth of strained In0.82Ga0.18As layers on InP - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces Année : 1996

Scanning tunneling microscopy study of the epitaxial growth of strained In0.82Ga0.18As layers on InP

Louis Porte
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
Pascal Krapf
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
Yves Robach
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  • PersonId : 918206
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
Magali Phaner-Goutorbe
INL - Chimie et Nanobiotechnologies
CV
Michel Gendry
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
Guy Hollinger
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918207
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Physique [physics]

Magali Phaner-Goutorbe  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02071368

Soumis le : lundi 18 mars 2019-15:33:06

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:10

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Dates et versions

hal-02071368 , version 1 (18-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02071368 , version 1

Citer

Louis Porte, Pascal Krapf, Yves Robach, Magali Phaner-Goutorbe, Michel Gendry, et al.. Scanning tunneling microscopy study of the epitaxial growth of strained In0.82Ga0.18As layers on InP. Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 1996, 352-354, pp.60-65. ⟨hal-02071368⟩

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