Electron retention in InAs-nanocrystals embedded in SiO2/Si for non-volatile memories

Moïra Hocevar; P. Regreny; A. Poncet; M. Gendry; A. Souifi

doi:10.1002/pssc.200780170

Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2008

Electron retention in InAs-nanocrystals embedded in SiO2/Si for non-volatile memories

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2

Moïra Hocevar

Fonction : Auteur
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CV

P. Regreny

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A. Poncet

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Soumis le : lundi 18 mars 2019-10:41:50

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:10

Dates et versions

hal-02070626 , version 1 (18-03-2019)

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HAL Id : hal-02070626 , version 1
DOI : 10.1002/pssc.200780170

Citer

Moïra Hocevar, P. Regreny, A. Poncet, M. Gendry, A. Souifi. Electron retention in InAs-nanocrystals embedded in SiO2/Si for non-volatile memories. physica status solidi (c), 2008, 5 (12), pp.3601-3604. ⟨10.1002/pssc.200780170⟩. ⟨hal-02070626⟩

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