Raman-strain relations in highly strained Ge: Uniaxial ⟨100⟩, ⟨110⟩ and biaxial (001) stress

A. Gassenq (1) , S. Tardif (2) , K. Guilloy (1) , I. Duchemin (3) , N. Pauc (1) , J. Hartmann (4) , D. Rouchon (4) , J. Widiez (4) , Y. M. Niquet (3) , L. Milord (4) , T. Zabel (5) , H. Sigg (5) , J. Faist (6) , A. Chelnokov (7) , F. Rieutord (8) , V. Reboud (4) , V. Calvo (1)

1 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
2 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
3 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
5 PSI - Paul Scherrer Institute
6 D-PHYS - Department of Physics = Departement Physik [ETH Zürich]
7 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
8 MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux

Domaines: Autre [cond-mat.other]

A. Gassenq, S. Tardif, K. Guilloy, I. Duchemin, N. Pauc, et al.. Raman-strain relations in highly strained Ge: Uniaxial ⟨100⟩, ⟨110⟩ and biaxial (001) stress. Journal of Applied Physics, 2017, 121 (5), pp.055702. ⟨10.1063/1.4974202⟩. ⟨hal-02060147⟩