Electrical properties of Molecular Beam Epitaxy grown Barium Titanate probed by conductive Atomic Force Microscopy

Simon Martin; Nicolas Baboux; David Albertini; Brice Gautier

doi:10.1016/j.tsf.2017.09.049

Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2017

Electrical properties of Molecular Beam Epitaxy grown Barium Titanate probed by conductive Atomic Force Microscopy

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Simon Martin

Fonction : Auteur

Institut de Géographie [Lausanne]

Nicolas Baboux

Fonction : Auteur
PersonId : 173550
IdHAL : nicolas-baboux
IdRef : 083282106

INL - Dispositifs Electroniques

David Albertini

Fonction : Auteur
PersonId : 738192
IdHAL : dalbertini
IdRef : 25313577X

Laboratoire de physique de la matière

Brice Gautier

Fonction : Auteur
PersonId : 15263
IdHAL : brice-gautier
ORCID : 0000-0002-0705-9967
IdRef : 098448617

INL - Dispositifs Electroniques

CV

Domaines

Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Brice GAUTIER : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02048464

Soumis le : lundi 25 février 2019-15:36:50

Dernière modification le : mercredi 13 mars 2024-15:14:05

Dates et versions

hal-02048464 , version 1 (25-02-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02048464 , version 1
DOI : 10.1016/j.tsf.2017.09.049

Citer

Simon Martin, Nicolas Baboux, David Albertini, Brice Gautier. Electrical properties of Molecular Beam Epitaxy grown Barium Titanate probed by conductive Atomic Force Microscopy. Thin Solid Films, 2017, 642, pp.324-327. ⟨10.1016/j.tsf.2017.09.049⟩. ⟨hal-02048464⟩

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