Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%

Mohammed Zeghouane (1) , Geoffrey Avit (2) , Yamina Andre (1) , Catherine Bougerol (3) , Yoann Robin (4) , Pierre Ferret (5) , Dominique Castelluci (1) , Evelyne Gil (1) , Vladimir Dubrovskii (1) , Hiroshi Amano (6) , Agnès Trassoudaine (2)

1 IP - Institut Pascal
2 IP - Institut Pascal
3 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
4 LSCE - Laboratoire des Sciences du Climat et de l'Environnement [Gif-sur-Yvette]
5 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
6 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Mohammed Zeghouane, Geoffrey Avit, Yamina Andre, Catherine Bougerol, Yoann Robin, et al.. Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%. Nanotechnology, 2019, 30 (4), pp.044001. ⟨10.1088/1361-6528/aaec39⟩. ⟨hal-02025949⟩