Electrical and optical properties of heavily Ge-doped AlGaN

R Blasco (1) , A. Ajay (2) , E. Robin (3) , Catherine Bougerol (4) , K Lorentz (5) , A Alves (6) , I. Mouton (7) , A Amichi (7) , A Grenier (8) , E. Monroy (2)

1 UAH - Universidad de Alcalá - University of Alcalá
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
3 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
4 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
5 INESC MN - INESC Microsistemas e Nanotecnologias
6 C2TN - Instituto Superior Técnico Universidade de Lisboa
7 IRIG - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble
8 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

R Blasco, A. Ajay, E. Robin, Catherine Bougerol, K Lorentz, et al.. Electrical and optical properties of heavily Ge-doped AlGaN. Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 52 (12), pp.125101. ⟨10.1088/1361-6463/aafec2⟩. ⟨hal-02025948⟩