Ge assisted SiC epitaxial growth by CVD on SiC substrate

Kassem Alassaad (1) , Véronique Soulière (1) , Beatrice Doisneau (2) , François Cauwet (1) , Hervé Peyre (3) , Davy Carole (1) , Didier Chaussende (2) , Gabriel Ferro (1)

1 LMI - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
2 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
3 L2C - Laboratoire Charles Coulomb

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Kassem Alassaad, Véronique Soulière, Beatrice Doisneau, François Cauwet, Hervé Peyre, et al.. Ge assisted SiC epitaxial growth by CVD on SiC substrate. 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2013, Miyasaki, Japan. pp.187-192, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.187⟩. ⟨hal-02025422⟩