Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2010
Geneviève GRENET : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02023532
Soumis le : lundi 18 février 2019-15:39:22
Dernière modification le : jeudi 23 novembre 2023-10:48:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02023532 , version 1
Citer
M. El Kazzi, C. Merckling, G. Saint-Girons, G. Grenet, M. Silly, et al.. High oxidation state at the epitaxial interface of γ-Al2O3 thin films grown on Si(111) and Si(001). Applied Physics Letters, 2010, 97 (15), pp.151902. ⟨hal-02023532⟩
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