Total Ionizing Dose Effect in LDMOS Oxides and Devices

T. Borel (1) , S. Furic , E. Leduc (2) , A. Michez (3) , J. Boch (3, 4) , Antoine Touboul (3, 4) , B. Azais (5) , S. Danzeca (6) , L. Dusseau (3, 4, 7)

1 Epicentre [Paris] [Médecins Sans Frontières]
2 ATMEL - Atmel Corporation
3 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
4 RADIAC - Radiations et composants
5 DGA - Direction générale de l'armement [Bagneux]
6 CERN - European Organization for Nuclear Research
7 CSU - Centre Spatial Universitaire de Montpellier-Nîmes

Domaines: Electronique

T. Borel, S. Furic, E. Leduc, A. Michez, J. Boch, et al.. Total Ionizing Dose Effect in LDMOS Oxides and Devices. IEEE RADECS2018, 2018, Goteborg, Sweden. ⟨hal-02022571⟩