Structured epitaxial graphene growth on SiC by selective graphitization using a patterned AlN cap - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010
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Dates et versions

hal-02017537 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02017537 , version 1

Citer

Miguel Rubio-Roy, Farhana Zaman, Yike Hu, Claire Berger, Michael Moseley, et al.. Structured epitaxial graphene growth on SiC by selective graphitization using a patterned AlN cap. Applied Physics Letters, 2010, 96 (8), pp.082112. ⟨hal-02017537⟩
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