Selective area growth of ZnO nanowires with controllable polarity using chemical bath deposition - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Selective area growth of ZnO nanowires with controllable polarity using chemical bath deposition

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https://hal.science/hal-02016931

Soumis le : mercredi 13 février 2019-00:33:38

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-02016931 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016931 , version 1

Citer

T. Cossuet, A. Bocheux, J.L. Thomassin, R. Parize, F. Robaut, et al.. Selective area growth of ZnO nanowires with controllable polarity using chemical bath deposition. Conférence Nationale sur les Processus Ultimes d’épitaxie des Semiconducteurs, Jul 2016, Marseille, France. ⟨hal-02016931⟩

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