In situ X-ray studies during the early stage of ZnO Atomic Layer Deposition on InGaAs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

In situ X-ray studies during the early stage of ZnO Atomic Layer Deposition on InGaAs

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016916 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016916 , version 1

Citer

E Skopin, L. Rapenne, H. Roussel, J.-L. Deschanvres, A. Crisci, et al.. In situ X-ray studies during the early stage of ZnO Atomic Layer Deposition on InGaAs. Rayons X & Matière, Nov 2017, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-02016916⟩
64 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More