Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction

Francois Danneville (1) , M. Deng , S. Bouvot , J. Azevedo Goncalves , Sylvie Lepilliet (1) , Guillaume Ducournau (1) , Christophe Gaquière (1) , Gilles Dambrine (1) , A. Bossuet , T. Quemerais , Estelle Lauga-Larroze (2) , J-M Fournier (2) , P. Chevalier (3) , D. Gloria (4)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 no affiliation
4 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

Domaines: Electronique; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Francois Danneville, M. Deng, S. Bouvot, J. Azevedo Goncalves, Sylvie Lepilliet, et al.. Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction. 2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Jun 2017, Vilnius, Lithuania. pp.1-4, ⟨10.1109/ICNF.2017.7985944⟩. ⟨hal-02012863⟩